氮化镓:
用于GaN生长的理想衬底是GaN单晶材料,可大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。但是制备GaN体单晶非常困难,到目前为止还未有行之有效的办法。
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ZnO之所以能成为GaN外延的候选衬底,是因为两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格识别度非常小,禁带宽度接近(能带不连续值小,接触势垒小)。但是,ZnO作为GaN外延衬底的致命弱点是在GaN外延生长的温度和气氛中易分解和腐蚀。目前,ZnO半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和P型掺杂问题没有得到真正解决,适合ZnO基半导体材料生长的设备尚未研制成功。
蓝宝石:
用于GaN生长普遍的衬底是Al2O3。其优点是化学稳定性好,不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟。导热性差虽然在器件小电流工作中没有暴露明显不足,却在功率型器件大电流工作下问题十分**。
2.2 列驱动电路
使用74HC595作为列驱动电路,每个字符用2块74HC595驱动,设LED显示屏有M行N列字符,则每行字符需2×N块74HC595,M行共需M×2× N块74HC595,本设计显示屏以显示2行4列字符为例,每行用8块74HC595,2行共16块74HC595。扩展时,如每行需增加1个字符显示,则每行再级联2块74HC595,如需增加1行字符显示,则增加2×N块74HC595级联电路。每行字符的列驱动是独立的,即每行字符的2×N块74HC595级联,分别由单片机的一个I/O引脚输出该行字符的点阵显示数据,这样在行驱动电路的配合下实现了各行字符对应的LED行同时显示,显示控制速度提高了M倍。每行字符的点阵显示数据通过模拟串口P0.3~P0.5及P0.6或P0.7…串行输出给移位寄存器74HC595,经串/并转换后由74H C595并行输出至LED显示屏的各列。2行4列字符显示列驱动电路如图3所示。
计算机进入工程控制软件以后,再开屏通电。
反映全彩LED显示屏LED品质的重要指标:
1、失效率
由于全彩显示屏由上万甚至几十万组红、绿、蓝三种LED组成的像素点组成,任一颜色LED的失效均会影响显示屏整体视觉效果。一般来说,按行业经验,在LED显示屏开始装配至老化72小时出货前的失效率应不**万分之三(指LED器件本身原因引起的失效)。
2、抗静电能力
LED是半导体器件,对静电敏感,较易引致静电失效,故抗静电能力对显示屏的寿命至关重要。一般来说,LED的人体静电模式测试失效电压不应低于2000V.
3、衰减特性
红、绿、蓝LED均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。LED芯片的优劣、辅助物料的好坏及封装工艺水平的高低决定了LED的衰减速度。一般来说,1000小时、20毫安常温点亮试验后,红色LED的衰减应小于10%,蓝、绿色LED的衰减应小于15%.红、绿、蓝衰减的一致性对全彩LED显示屏日后的白平衡影响很大,进而影响显示屏的显示保真度。
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主要经营 深圳市瑞凯显示技术有限公司始终专注LED全彩显示屏、LED交通诱导显示屏、LED智慧城市显示屏、LED户外显示屏模组的研发和生产,不断注重产品的品质与创新,为用户提供优质产品和专业服务,并在工程服务团队建设上花费更多精力和投入,确保工程施工进度和质量。。
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